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技術文章

TECHNICAL ARTICLES

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  • 20242-28
    應用分享 | 電阻率測試對碳化硅半導體的意義

    隨著全球對能源需求的不斷增加,特別是在電動或混合動力汽車和可再生能源管理這些領域,人們越來越注重以較低的電力消耗為目標,因此能在高頻、高溫、高壓環(huán)境下工作的第三代半導體材料碳化硅(SiC)逐漸受到了廣泛的關注。目前碳化硅產業(yè)已成為全球范圍內一個新興的高技術行業(yè),涵蓋了材料、器件、模塊以及應用等多個方面的產業(yè)鏈。然而,在生產和制備過程中應怎樣確保SiC的穩(wěn)定性和工作效率呢?較基礎、高效的方式就是準確測量它們的電阻率或電導率。按照摻雜后SiC的電阻率來分類,碳化硅襯底主要有導通型...

  • 20242-25
    XRD在藥物研究中的應用系列之-總覽篇

    X射線衍射技術在藥物分析中有著廣泛的應用。X射線衍射技術是一種用于研究物質結構的分析方法,它通過測量X射線在晶體中的衍射角度,來確定晶體的結構。這種技術在藥物分析中具有很多應用。自藥典和法規(guī)對涉及藥物晶型研究相關的問題時,X射線衍射技術在藥物分析中的應用開始增加,為藥物研發(fā)、生產和質量控制提供重要的技術支持。常見的有下面幾種。藥物API晶型分析藥物雜質分析(堿式碳酸鑭雜質定量)結晶度分析原位分析在藥物成分鑒定、藥物合成監(jiān)測、藥物制劑分析、藥物與生物分子相互作用研究、藥物溶解度...

  • 20242-21
    少子壽命測試儀應用分享|缺陷濃度測定

    許多壽命測量方法,如QSSPC、μPCD或CDI,以及MDP在極低的注入濃度下都存在異常高的測量壽命。這種效應是由于樣品中的捕獲中心造成的。這些捕獲中心對于了解材料中載流子的行為非常重要,并且也會對太陽能電池產生影響。因此,需要以高分辨率來測量缺陷密度和這些缺陷中心的活化能。借助MDPmap和MDPingot,可以通過一次測量來測量光電導率以及少數(shù)載流子壽命,并在寬注入范圍內實現(xiàn)全自動測量。巧妙的算法可以確定樣品中的缺陷濃度。根據(jù)注入相關壽命曲線,可以確定低注入下的壽命τLL...

  • 20241-19
    XRM應用分享 | 鋰電新能源

    鋰離子電池,由于其具有高能量密度和體積能量密度,循環(huán)壽命長,無記憶效應等優(yōu)點,越來越受到市場和消費者的青睞,這也推動了鋰離子電池的快速發(fā)展和針對其研究的不斷深入。XRM憑借著其能在無損情況下表征樣品真實三維結構的特點,在近些年逐漸成為鋰電池研究中的重要表征手段之一,且應用范圍也在不斷擴展。實例一軟包電池多尺度表征BrukerSkyscan2214樣品整體掃描,11um局部高分辨掃描,正極,1um局部高分辨掃描,隔膜,0.15um電池正極顆粒粒徑分布(左圖)及孔徑分布(右圖)實...

  • 20241-19
    SC-XRD應用分享 | 粉末X射線衍射(PXRD)在藥物晶型研究中的應用

    藥物大部分以晶體的形式存在,利用X射線衍射,我們可以獲得每種不同的晶型的藥物特征的衍射信息。如同指紋一樣,在數(shù)據(jù)庫中每種晶型都有特征的衍射圖譜。即使對于含有多成分的固體制劑而言,其中原料藥與輔料各自對應的粉末X射線衍射圖譜不會發(fā)生變化,可作為藥物晶型定性判斷的依據(jù)。因而對于未知的藥物樣品,通過PXRD,我們可以很快通過比對實測圖中的衍射峰的位置,強度,從已有數(shù)據(jù)庫中查到原料藥的晶體結構相匹配的衍射圖譜,從而準確鑒定該藥物的晶型。PXRD對于藥物晶型的定性研究主要分為兩個方面:...

  • 20241-19
    XRD應用分享 | X射線全散射對分布函數(shù)方法分析結晶/非晶無機材料局域結構

    局域結構是指構成材料的原子或離子在幾個晶胞尺度范圍內(具體來說,使用X射線等探針對目標樣品進行散射實驗后,獲得的信號強度I隨Q的分布函數(shù)I(Q)(Q=4πsinθ/λ)中同時包含了相干散射、非相干散射以及背景信號,扣除背景后按照下式進行處理從而獲得全散射函數(shù)S(Q):而后,對S(Q)-1以Q為權重處理后(即Q[S(Q)-1],也被稱作F(Q)),再進行傅里葉變換,即可得到對分布函數(shù)G(r):對于不同結構的材料,其原子對的分布規(guī)律也各不相同,圖1展示了立方堆積和六方堆積的G(r...

  • 20241-19
    AES俄歇電子能譜專輯之原理篇

    1925年PierreAuger在威爾遜云室中發(fā)現(xiàn)了俄歇電子,并進行了理論解釋,俄歇電子以他的名字命名。1953年,JamesJosephLander使用了電子束激發(fā)俄歇電子能譜,并探討了俄歇效應應用于表面分析的可能性。1967年LarryHarris提出了微分處理來增強AES譜圖信號。美國明尼蘇達大學的RolandWeber,PaulPalmberg和他們的導師BillPeria進行的研究揭示了俄歇電子能譜的表面靈敏特性,研制了早期商用俄歇表面分析儀器(如圖1所示),并基于...

  • 20241-17
    晶圓片在線面掃檢測儀:提升半導體生產質量的重要利器

    晶圓片在線面掃檢測儀是一種用于半導體行業(yè)的高精度設備,通過實時檢測和分析晶圓片表面的缺陷和污染物,提高半導體生產質量。作為半導體制造過程的重要環(huán)節(jié),在線面掃檢測儀能夠提供高效、準確的檢測和分析,幫助半導體工廠及時發(fā)現(xiàn)和解決潛在問題,保證產品質量和可靠性。該在線面掃檢測儀利用高分辨率的光學傳感器和圖像處理技術,能夠對晶圓片表面進行快速、全面的檢測。它能夠檢測并分類各種缺陷和污染物,如劃痕、斑點、氣泡、污染和裂紋等,提供精確的位置和尺寸信息。通過分析采集到的圖像和數(shù)據(jù),在線面掃檢...

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